The Ubiquitous Memristive Response in Solids

Neste artigo relatamos como ingredientes básicos da teoria do transporte no estado sólido, a saber, a condutividade tipo Drude e a ativação de portadores fora de equilíbrio submetidos a um tempo de relaxação, são condições suficientes para uma resposta memristiva. Isso aponta para o surgimento natural da memória que, se discernível sob um conjunto adequado de inputs, passa a ser a regra e não a exceção, com assinaturas contrastantes de acordo com restrições de simetria, embutidas ou induzidas por fatores externos. Expressões analíticas explícitas para condutância são apresentadas, revelando correlações muito concisas e acessíveis entre parâmetros microscópicos intrínsecos gerais, como tempos de relaxação, energias de ativação e eficiências (encontradas em vários campos da Física) com fatores externos: pulsos de tensão, temperatura, iluminação, etc. Esses blocos de memória podem ser estendidos a um vasto universo de materiais e dispositivos, com combinações de canais de transporte paralelos e independentes, fornecendo uma explicação física eficiente e unificada para uma ampla classe de dispositivos de memória resistiva que surgiram nos últimos anos. Sua simplicidade e praticidade também permitem que o modelo seja diretamente vinculado às caracterizações experimentais de tais sistemas e suas configurações ótimas de condução.